谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

近日，3D存算一体芯片领军企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。在此基础上，该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构，将垂直扩展能力和空间推向新的高度。而垂直扩展能力，正是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键：堆叠层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的存储带宽与容量就越充足。但层数每增加一层，良率、可靠性与热管理等技术挑战也随之倍增，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制，每一环都考验着设计

原文：雷峰网