国产量检测要开始用EUV了

被低估的EUV第二赛道。（本文作者为 半导体产业纵横，钛媒体经授权发布）文 | 半导体产业纵横谈及EUV，大部分人首先想到的是光刻机。但实际上在量检测领域，也开始逐渐引入EUV了。光刻波长从193 nm到13.5 nm剧烈变化，使得EUV光刻工艺需要全新的元器件和材料，这意味着需要在工作波长（即13.5 nm）下重新开展元器件检测和材料相互作用研究。为什么需要EUV量检测？半导体生产的每一道工艺都需要定量测量，确保关键物理参数达标，其中光学检测设备占据了市场主流。但随着芯片制程持续推进，器件物理尺度持续微缩，同时晶体管从 FinFET 向环绕栅极（GAA）等三维结构演进，检测需求从二维平面延伸至三维立体，掩埋界面识别、纳米级缺陷检出的难度陡增，传统光学检测的灵敏度已无法满足精度要求。电子束检测虽然精度更高，但存在扫描速度慢、吞吐量低的短板，还可能对晶圆材料造成损伤。相比之下，基于 EUV

原文：钛媒体