消息称长鑫存储开始试产 HBM3E 内存，有望数周内大规模量产

IT之家 8 月 31 日消息，据《The Information》今日报道，长鑫存储已启动 HBM3E 内存的风险试产工作。据报道，长鑫存储当前计划扩大产能。预计到今年年底，该公司的 DRAM 制造能力将达到每月 35 万片晶圆，未来几年的产能还将继续提高。目前长鑫的 HBM3E 生产规模依然十分有限，这意味着他们刚刚进入风险试产阶段。虽然我们还不清楚长鑫存储 HBM3E 的具体规格。但根据 JEDEC（IT之家注：固态技术协会）规范，HBM3E 应采用 1024-bit 位宽，单引脚速率介于 9.2Gbps 至 12.4Gbps 之间，大多数标准配置的目标速率为 9.6Gbps。在 9.6Gbps 的典型配置下，HBM3E 的总带宽可达 1.2TB/s。在采用 8 层堆叠（8-Hi）、单层 24Gb DRAM 芯片的情况下，其单个堆栈容量为 24GB；采用 12 层堆叠时，容量可达 3

原文：IT之家