3D NAND闪存，藏了三张底牌

千层高楼，地基已改。（本文作者为 半导体产业纵横，钛媒体经授权发布）文 | 半导体产业纵横3D NAND 的 300层堆叠角逐才刚刚启幕，千级堆叠已是行业明确的发展方向。可一旦层数迈过 300 层门槛，物理约束与成本效益的双重约束便接踵而至，传统堆叠方案难以为继。一众厂商对外继续角逐层数榜单，内部布局的技术赛道却早已改弦易辙。3D NAND，逻辑变了NAND 闪存从诞生起走的其实是 “平面微缩” 路线 ，也就是2D NAND：把存储单元在晶圆表面越做越小，用更先进的光刻把线宽一路推进。但这条路走到 1X 纳米（十几纳米）节点时，走到了尽头。一系列问题集中爆发：单元间距缩小后，相邻单元间的电容耦合干扰急剧上升；每个单元能保存的电子数骤减，电荷保持与编程 / 擦除速度这对矛盾愈发不可调和；再加上先进光刻成本水涨船高，单位比特成本不降反升。在二维平面里继续 “做小”，已无利可图，甚至难以为继。之

原文：钛媒体